Intel再投200亿美元建2座芯片工场 “1.8nm”工艺王者纪念

发布日期:2022-09-11 18:45    点击次数:172


Intel再投200亿美元建2座芯片工场 “1.8nm”工艺王者纪念

  当地时期9月9日,Intel CEO基辛格告示在美国俄亥俄州投资200亿美元新建大型晶圆厂,这是Intel IDM 2.0战术的一部分,统统投资谋划高达1000亿美元,新工场展望2025年量产,届时“1.8nm”工艺将让Intel再行回到半导体素质者地位。

  基辛格前年2月份担任Intel CEO以来,运转猖厥鼓动在美国及人人建厂,其中美国脉土的投资至少跨越400亿美元,前年依然在亚利桑那州投资200亿美元建晶圆厂,此次是在俄亥俄州雷同投资200亿美元,还在新墨西哥州诞生新的封测工场。

  Intel这座工场亦然美国通过528亿美元的芯片补贴法案之后原土新建的大型半导体芯片厂,为此美国总统也出席了开工典礼,还有俄亥俄州州长等所在部门高官。

  Intel的芯片制造基地将有2座晶圆厂构成,最多可容纳8个厂房及配套的生态扶植系统,占大地积快要1000英亩,也等于4平淡公里之大,精品推荐将创造3000个高薪责任岗亭,7000多个建筑工岗亭,以及数万个供应链谐和岗亭。

  这两座晶圆厂展望会在2025年量产,Intel莫得具体提到工场的工艺水平,然而Intel之前默示要在4年内把握5代CPU工艺,2024年就要量产20A及18A两代工艺,因此这里的工场届时应该也会量产18A工艺。

  20A、18A是人人首个达到埃米级的芯片工艺,非常于友商的2nm、1.8nm工艺,还会首发Intel两大黑科技时代Ribbon FET及PowerVia。

  字据Intel所说,Ribbon FET是Intel对Gate All Around晶体管的罢了,它将成为公司自2011年领先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该时代加速了晶体管开关速率,同期罢了与多鳍结构接洽的驱动电流,但占用的空间更小。

  PowerVia是Intel疏淡的、业界首个后头电能传输收罗,通过摒除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

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